SE30AFB-M3/6A
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30AFB-M3/6A
| Artikelnummer: | SE30AFB-M3/6A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30AFB-M3/6A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SE30AFB-M3/6A.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 3 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse DO-221AC (SlimSMA) Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie eSMP® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 1.5 µs Verpackung / Gehäuse DO-221AC, SMA Flat Leads Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 100 V Strom - Richt (Io) 1.4A Kapazität @ Vr, F 19pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer SE30 SE30AFB-M3/6A Einzelheiten PDF [English] SE30AFB-M3/6A PDF - EN.pdf -
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